| 发布日期：2024-07-18 17:03 点击次数：86 |
科技日报讯 （记者张佳欣）韩国基础科学参谋所范德华量子固体中心的参谋团队找到了一种新顺序，已毕了宽度小于1纳米的一维金属材料的外延滋长。值得夺方针是，他们使用的是一维金属行动超袖珍化晶体管的栅极电极。这项参谋于7月3日发表在《当然·纳米本领》杂志上。
半导体器件的集成度取决于栅极电极的宽度和长度。在传统的半导体制造工艺中，由于光刻永诀率的拒绝，将栅极长度减少到几纳米以下是不成能的。二维半导体二硫化钼的镜面孪晶界限（MTB）是宽度仅为0.4纳米的一维金属，因此，参谋东说念主员将其用作栅极电极，可克服光刻工艺的拒绝。
在这项参谋中，通过在原子水平上规章现存二维半导体的晶体结构，参谋团队将其滚动为一维MTB，已毕了一维MTB金属相。这不仅是下一代半导体本领的要紧冲破，亦然基础材料科学的要紧冲破，它展示了通过东说念主工规章晶体结构可大面积合成新材料相。
一维MTB晶体管在电路性能方面也具有上风。用于硅半导体器件袖珍化的鳍式场效应晶体管或全环绕栅极晶体管等本领由于器件结构复杂，开发个软件软件多少钱容易产生寄生电容，导致高集成度电路不持重。比拟之下，一维MTB晶体管由于结构简便、栅极宽度极窄，不错将寄生电容降至最低。
app参谋东说念主员暗示，通过外延滋长已毕的一维金属相是一种新式材料工艺，可诳骗于超袖珍半导体制造，有望成为当年迷惑各式低功耗、高性能电子缔造的关节本领。
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